В настоящее время во всех развитых странах при производстве интегральных микросхем и полупроводниковых приборов в широких масштабах применяются такие высокотоксичные, пожаро-взрывоопасные и дорогостоящие газы, как моносилан, диборан, фосфин, арсин и др. (МОС-гидридная технология). В Иркутском институте химии СО РАН разработана серия экологически безопасных, нетоксичных, высокочистых жидких кремнийорганических реагентов (прекурсоров тонкопленочных структур), которые позволяют исключить из производства микроэлектронных изделий опасные и дорогостоящие газы.
Принципиальным отличием новых прекурсоров является наличие в их молекулах готовых фрагментов, входящих в состав интегральных микросхем - группировок Si-O-Si, Si-N-Si, Si-N-C, Si-O-B, Si-O-P, Si-O-Sb и др. Это позволяет в процессе производства микросхем методом плазмохимического разложения получать тонкие функциональные и защитные слои двуокиси кремния; легированной бором, фосфором или сурьмой двуокиси кремния; нитрида и оксинитрида кремния; карбонитрида кремния и др. Полученные слои по своим электрофизическим свойствам не уступают, а в ряде случаев и превосходят пленки, осаждаемые на основе токсичных газообразных веществ. На основе доступного и дешевого отечественного сырья разработана технология производства и очистки этих соединений.
Предлагается организация на базе ИрИХ СО РАН опытного производства следующих продуктов: гексаметилдисилоксана, гексаметилдисилазана, трис(три- метилсилил)бората, трис(триметилсилил)фосфата и трис(триметилсилил)антимонита. Новые реагенты предназначены для технологических процессов производства современных интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Их потребителями могут стать научные организации и промышленные предприятия гг. Москвы, Зеленограда, С.-Петербурга, Новосибирска и др., а также стран ближнего зарубежья - Белорусии, Молдовы, Азербайджана, где прошли успешные испытания опытных образцов новых прекурсоров.
Для реализации проекта планируется организация в ИрИХ СО РАН опытного наукоемкого производства высокочистых кремнийорганических веществ, не имеющих отечественных и зарубежных аналогов.
Имеется ряд авторских свидетельств на получение и применение новых реагентов.

Иркутский институт химии им. А.Е. Фаворского СО РАН
г. Иркутск, ул. Фаворского, 1, тел. (3952) 42-96-56, факс 41-93-46
е-mail: mir@irioch.irk.ru, www.inchemistry.irk.ru
Руководитель проекта - в.н.с., д.х.н. Мирсков Рудольф Григорьевич